Dettaglio - Gestione integrata procedure di pagamento

Dettaglio progetto

Codice: 51
Cur: RVX09624
Iniziativa: L.297/5
Data Presentazione: 08/01/2002
Titolo: Progettazione e realizazione di processo Epitassiale CVD di Carburo di Silicio (SiC) su substrati SiC
Costo Ricerca Domanda: 3.600.200,00 € di cui Fondi nazionali 0,00 €
Costo Formazione Domanda: 0,00 € di cui Fondi nazionali 0,00 €
Costo Ricerca Ammesso: 3.600.200,00 € di cui Fondi nazionali 275.000,00 €
Costo Formazione Ammesso: 0,00 € di cui Fondi nazionali 0,00 €

Beneficiari

Ragione Sociale	Codice Fiscale	Codice Anagrafe
E.T.C. S.R.L. - Epitaxial Technology Center	03047580877	52872ACA

Impegni da primo decreto di ammissione al finanziamento del 29/12/2003

Importo	Fondo	Ricerca/Formazione	Voce di spesa
695.850,00 €	PON	Sviluppo Precompetitivo	Contributo nella Spesa
1.639.625,00 €	PON	Ricerca Industriale	Contributo nella Spesa
2.196.500,00 €	PON	Ricerca Industriale	Costi Ammessi
1.403.700,00 €	PON	Sviluppo Precompetitivo	Costi Ammessi